高盛：中国芯片达65纳米！落后ASML二十年！

科技

中国光刻技术面临约20年代际差距，但国产化率已突破90%，28纳米浸没式光刻机研发加速。这场技术突围既需攻克精密光学等"卡脖子"难题，更要把握新兴领域换道超车机遇——全球半导体变局中，中国正以全产业链自主化构筑破局新势能。

中国光刻技术差距

2025年初秋，一份报告在半导体行业引发广泛关注。高盛最新发布的分析指出，中国本土光刻设备的制造水平目前主要集中在65纳米工艺节点，而全球领先的荷兰企业ASML在先进制程领域则占据明显优势，两者之间存在约20年的技术代际差距。

这一差距并非单纯的时间差异，而是由多重因素共同作用的结果，包括技术壁垒、产业生态体系、高端人才储备以及国际贸易环境等。这表明，中国在半导体制造装备领域的自主突破仍面临诸多挑战，未来的发展道路依然充满艰辛与不确定性。

光刻技术差距与追赶路径

然而，切勿急于得出结论。表面上看似巨大的技术差距，实则背后隐藏着产业链的深刻调整、政策引导下的创新路径，以及一场悄然展开但步伐坚定的追赶进程。

本文将深入剖析所谓“20年差距”的真实背景，全面解读中国光刻产业当前所取得的进展与面临的挑战，探讨全球技术格局的细微变化，并展望未来可能的追赶路径，引发对经济与科技发展更深层次的思考。

据高盛报告指出，目前中国大陆在光刻设备领域的领先产品主要应用于90纳米制程，所谓的技术突破则集中在65纳米级别。尽管部分项目正在尝试突破28纳米的技术门槛，但尚未实现稳定量产。

相比之下，ASML作为全球光刻机领域的领军企业，其最尖端的EUV光刻机已能支持7纳米甚至更先进的工艺节点，而2024年推出的新型号更是达到了8纳米的分辨率。这一成就的背后，是复杂光学系统设计、极紫外光源技术、精密机械控制以及先进软件算法的高度集成与协同。

这种差距，犹如从驾驶一辆老旧的自行车，跃升至操控一台高性能的超级跑车，绝非一蹴而就，而是通过无数关键零部件与整车系统的持续突破与整合逐步实现的。

在这场激烈的全球技术竞争中，上海微电子装备集团无疑是中国光刻机制造领域的核心力量和引领者。

SSA800-10W光刻机发展

目前，SSA600系列光刻机主要应用于90纳米工艺节点，属于成熟制程设备。而公司重点推进的项目——SSA800-10W浸没式28纳米光刻机，则被视为公司未来发展的重要支撑。

光刻机国产化进程加速

尽管光刻机技术已在多个场合公开展示，但从工业界反馈来看，其设备在设计复杂度、运行稳定性以及批量生产能力方面，尚未完全达到芯片制造厂商所设定的严苛标准。目前，关键部件的国产化率已提升至90%，这标志着我国在光刻机产业链自主供应体系建设方面取得了显著进展。

这一进步意味着中国光刻机正逐步减少对海外供应商，尤其是荷兰、日本等国家的依赖。国产化率的提升不仅有助于降低整体成本，更在战略层面增强了技术自主权。

然而，这条自主研发之路依然充满挑战。光刻机不仅是机械与光学技术的集成，更是信息控制、材料科学与系统工程等多学科高度融合的产物。其技术门槛极高，涉及复杂的研发体系与长期的技术积累。

全球光刻设备市场由ASML主导，其市场份额高达82.1%。特别是在7纳米及以下先进制程中，EUV光刻机完全由ASML独家供应，缺乏替代路径。ASML的技术优势源于数十年的持续投入、国际合作以及人才储备，其设备单台售价可达数亿美元，技术难度和产业链复杂性远超一般认知。

值得注意的是，2024年中国大陆市场占ASML总销售额的约36%，成为其最大的单一市场。双方在商业利益与政策监管之间形成了一种微妙的平衡关系。

美国对中国高端光刻设备的出口限制，直接切断了中国获取最先进设备的渠道。但与此同时，中低端设备的庞大市场需求仍维持着双方的合作关系。这种“矛盾共生”的格局将在短期内持续存在。

光刻机制造的精密协作

光刻机的制造并非点石成金的魔法，而更像是一场精密协调的顶级交响乐，需要众多高端工艺部件协同运作、精准配合。其核心环节主要包括：

突破技术瓶颈

在诸多领域，中国虽然取得了显著进展，但在各个环节仍面临“卡脖子”问题。特别是在光学材料和超精密制造设备方面，对进口的依赖程度依然较高，形势依然严峻。

面对与ASML之间约20年的技术差距，中国采取了“绕道而行”的发展战略，寻求在关键技术路径上实现突破与替代。

国家持续加大资金投入，通过多种渠道保障研发活动的稳定开展，推动创新资源不断向关键领域集聚。

半导体技术革新机遇

当前全球半导体产业正经历前所未有的技术革新阶段。在这一过程中，新兴领域为后发国家提供了难得的发展机遇——这些领域的技术起点相对公平，且对传统光刻设备的依赖程度有所下降。中国凭借其强大的创新能力与广阔的市场需求，在进入技术前沿方面具备独特优势。若能有效把握机遇，有望在某些关键领域实现跨越式发展。

技术突破与长期挑战

高盛的报告指出，技术发展之路充满波折，业界应清醒认识到当前存在的技术差距，并意识到追赶之路将是一场持久战。

中国在光刻机领域实现65纳米制程的突破，虽具有重要意义，但仅是迈向高端制造的第一步。ASML等国际巨头所拥有的技术优势犹如高山般难以逾越，然而历史经验表明，跨越技术鸿沟并非遥不可及的神话。

展望未来，中国必须持续加大研发投入，完善产业链布局，强化人才培养与技术创新体系。唯有如此，才能逐步构建起打破技术垄断的“软硬兼备”的综合实力。

光刻技术差距与未来展望

中国在光刻技术领域经历了长达20年的技术差距，这一差距是否会迅速缩小，抑或仍将持续遥远？实现技术自主究竟需要多长时间？面对不断发展的全球半导体产业，ASML等国际巨头是否可能因新技术的出现而受到挑战？欢迎读者留言探讨，分享您对这一话题的独特见解与思考。